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EM6J1
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
<It is the same ratings for the Tr1 and Tr2.>
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS = ± 10V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 20
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS =0V
?
?
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
I DSS
V GS (th)
R DS (on)
Y fs ?
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r
t d (off) ?
t f
Q g ?
Q gs ?
Q gd ?
?
? 0.3
?
?
?
?
?
0.2
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
0.8
1.0
1.3
1.6
2.4
?
115
10
6
6
4
17
17
1.4
0.3
0.3
? 1
? 1.0
1.2
1.5
2.2
3.5
9.6
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
μ A
V
?
?
?
?
?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS = ? 20V, V GS =0V
V DS = ? 10V, I D = ? 100 μ A
I D = ? 200mA, V GS = ? 4.5V
I D = ? 100mA, V GS = ? 2.5V
I D = ? 100mA, V GS = ? 1.8V
I D = ? 40mA, V GS = ? 1.5V
I D = ? 10mA, V GS = ? 1.2V
V DS = ? 10V, I D = ? 200mA
V DS = ? 10V
V GS =0V
f=1MHz
V DD ? 10V
I D = ? 100mA
V GS = ? 4.5V
R L 100 ?
R G =10 ?
V DD ? 10V, I D = ? 200mA
V GS = ? 4.5V
R L 50 ?, R G =10 ?
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-drain)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD ?
Min.
?
Typ.
?
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I S = ? 200mA, V GS = 0V
? Pulsed
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c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.05 - Rev.A
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